[发明专利]一种切片电池制备方法在审
申请号: | 201910771774.7 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110867498A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 张娟;李高非;王继磊;郑静;白星亮;黄金;白焱辉;刘学飞;李文敏 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技股份公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 032100 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种切片电池制备方法。它包括以下步骤:A、对原硅片预切割:预切割时,使用激光将原硅片进行切割,切割深度≤原硅片厚度的90%;B、将原硅片进行制备形成双面结构电池;C、对制备的双面结构电池沿着预切割切痕进行裂片分离。其优点在于:避免了传统上在激光划片和机械裂片过程中,会对电池片造成一定的损伤的问题发生,并避免了电池片内部生成的载流子在切割面处形成短路的问题,在裂片后电池片在切割线附近基本无损伤及漏电情况,另外,由于没有直接采用激光划片和机械裂片,也就不会存在对切割划片区域钝化层造成热损伤的问题,该工艺方法突破了现有的局限,最终保证了裂片前后的电池效率以及各项电性能指标。 | ||
搜索关键词: | 一种 切片 电池 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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