[发明专利]一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910772038.3 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110491940B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵晓松;韩伟华;郭仰岩;窦亚梅;张晓迪;吴歆宇;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/265;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于共振隧穿的纳米线晶体管，该纳米线晶体管包括：SOI衬底、隧穿势垒结构、源区、漏区、纳米线、栅极、源电极、漏电极、栅电极和绝缘介质层。隧穿势垒结构位于SOI衬底的埋氧化层上，源区、漏区和纳米线通过刻蚀SOI衬底的顶层硅形成，纳米线位于源区和漏区之间，源区、漏区和纳米线之间不直接连接，通过隧穿势垒结构相连接，绝缘介质层形成于源区、漏区和纳米线表面，栅极形成于纳米线上方的绝缘介质层上，源电极形成于源区上，漏电极形成于漏区上，栅电极形成于栅极上。本发明公开的基于共振隧穿的纳米线晶体管的结构及其制备方法，减小亚阈值斜率，可以实现较大的导通电流和较小的源漏接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共振 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于共振隧穿的纳米线晶体管，其特征在于，该纳米线晶体管包括SOI衬底(1)、隧穿势垒结构(2)、源区(3)、漏区(4)、纳米线(5)、栅极(6)、源电极(7)、漏电极(8)、栅电极(9)和绝缘介质层(10)，其中：/n隧穿势垒结构(2)位于SOI衬底(1)的埋氧化层上；/n源区(3)、漏区(4)和纳米线(5)通过刻蚀SOI衬底(1)的顶层硅形成；/n纳米线(5)位于源区(3)和漏区(4)之间，源区(3)、漏区(4)和纳米线(5)之间不直接连接，通过隧穿势垒结构(2)相连接；/n绝缘介质层(10)形成于源区(3)、漏区(4)和纳米线(5)表面；/n栅极(6)形成于纳米线(5)上方的绝缘介质层(10)上；/n源电极(7)形成于源区(3)上；/n漏电极(8)形成于漏区(4)上；/n栅电极(9)形成于栅极(6)上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910772038.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化镓电子器件的复合介质结构及制备方法
- 下一篇：高压元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
