[发明专利]一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法有效
| 申请号： | 201910772581.3 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110677155B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 樊华;王琛;冯全源;李大刚;胡达千;岑远军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列，对电容阵列中的单位电容经过多次组合，排序，中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升，静态性能与动态性能均有显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 逐次 逼近 转换器 选取 电容 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法，该方法包括：/n步骤1：采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列(设正负电容阵列各包含n个单位电容)，并将单位电容进行标号：C
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