[发明专利]一种半导体微米线及其制备方法和光纤应力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910772728.9 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110556458B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王幸福;董建奇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;G01L1/24 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及应力传感器技术领域，尤其涉及一种半导体微米线及其制备方法和光纤应力传感器及其制备方法。本发明提供的半导体微米线，在横截面方向上，所述半导体微米线包括依次层叠设置的未掺杂的n型GaN层、多量子阱层、p型Al |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 微米 及其 制备 方法 光纤 应力 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体微米线，其特征在于，在横截面方向上，所述半导体微米线包括依次层叠设置的未掺杂的n型GaN层、多量子阱层、p型Al
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