[发明专利]提高超级结器件击穿电压的结构在审
| 申请号： | 201910772833.2 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110379847A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高超级结器件击穿电压的结构，通过在超级结器件的沟槽之间增加一个栅极沟槽，超级结经过重新拉偏各自选择最佳匹配点条件，在不增加导通电阻，不需新增掩膜版和工艺的基础上上提升超级结器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 超级结器件 击穿电压 最佳匹配点 导通电阻 栅极沟槽 超级结 掩膜版 | ||
【主权项】：
1.一种提高超级结器件击穿电压的结构，其特征在于：超级结器件在半导体衬底中具有超结结构，所述超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型材料组成，超结沟槽形成于N型衬底中，N型柱由所述P型柱之间的所述N型衬底组成；在N型外延或者衬底中具有双沟槽，所述的双沟槽内壁均具有氧化层，沟槽内填充满多晶硅；所述的双沟槽之间为N型衬底，且其中一沟槽位于P阱中，双沟槽之间的外延或者衬底表面还具有一重掺杂N型层覆盖于双沟槽之间的部分衬底表面，所述重掺杂N型层的上方还覆盖有氧化层，所述氧化层与所述位于外延层中的沟槽中的氧化层连成一体。
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