[发明专利]一种等离子体刻蚀系统在审
| 申请号： | 201910772838.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110491759A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘海洋;胡冬冬;李娜;刘小波;程实然;郭颂;吴志浩;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 彭英<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体刻蚀系统，包括反应腔室、位于反应腔室内用于承载工件的底座和位于反应腔室上的介质窗；所述介质窗的外表面上设置有平板式电极和线圈电极；所述平板式电极位于底座正上方；所述线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域；所述线圈电极与介质窗的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层。本发明通过所述介质窗的外表面的中心处设置平板式电极，配合线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域，减弱了刻蚀过程中介质窗中部区域的污染状况，且提高了刻蚀均匀性；同时平板式电极能够对介质窗的中部区域进行有效清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 平板式电极 介质窗 线圈电极 反应腔室 环绕布置 外周区域 中部区域 底座 等离子体刻蚀系统 法拉第屏蔽层 刻蚀均匀性 承载工件 刻蚀过程 污染状况 反应腔 中心处 清洗 室内 中介 配合 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀系统，包括反应腔室、位于反应腔室内用于承载工件的底座和位于反应腔室上的介质窗，其特征在于：所述介质窗的外表面上设置有平板式电极和线圈电极；所述平板式电极位于底座正上方；所述线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域；所述线圈电极与介质窗的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鲁汶仪器有限公司，未经江苏鲁汶仪器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910772838.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
