[发明专利]小间距发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910773000.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110707187B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;胡加辉;李鹏;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 羊淑梅 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小间距发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构和第二超晶格结构中量子阱的材料采用氮化铟镓；第二超晶格结构中量子垒包括交替层叠的(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，第一子层、第二子层和第一超晶格结构中量子垒的材料采用掺杂硅的氮化镓；第一子层中硅的掺杂浓度、第二子层中硅的掺杂浓度分别为第一超晶格结构中量子垒中硅的掺杂浓度的11倍～20倍、5倍～10倍。本发明发光波长在不同电流下的变化幅度较小，可满足影院HDR的显示要求。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小间距发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底(10)、缓冲层(20)、N型半导体层(30)、有源层(40)和P型半导体层(50)，所述缓冲层(20)、所述N型半导体层(30)、所述有源层(40)和所述P型半导体层(50)依次层叠在所述衬底(10)上；其特征在于，所述有源层(40)包括依次层叠的第一超晶格结构(41)和第二超晶格结构(42)，所述第一超晶格结构(41)和所述第二超晶格结构(42)均包括交替层叠的多个量子阱(43)和多个量子垒(44)；所述第一超晶格结构(41)和所述第二超晶格结构(42)中量子阱(43)的材料采用氮化铟镓；所述第二超晶格结构(42)中量子垒(44)包括交替层叠的(n+1)个第一子层(441)和n个第二子层(442)，n为正整数，所述第一子层(441)、所述第二子层(442)和所述第一超晶格结构(41)中量子垒(44)的材料采用掺杂硅的氮化镓；所述第一子层(441)中硅的掺杂浓度为所述第一超晶格结构(41)中量子垒(44)中硅的掺杂浓度的11倍～20倍，所述第二子层(442)中硅的掺杂浓度为所述第一超晶格结构(41)中量子垒(44)中硅的掺杂浓度的5倍～10倍。/n
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