[发明专利]具有倒T型屏蔽栅的IGBT器件有效
| 申请号： | 201910773387.7 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110444595B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 牛博;陈钱;张金平;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有倒T型屏蔽栅的IGBT器件，其在所述第一导电类型漂移区上设置元胞结构；还包括栅极多晶硅体，栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅，控制栅、屏蔽栅通过栅氧化层与第一导电类型漂移区间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；屏蔽栅呈倒T型状，屏蔽栅包括伸入第一导电类型漂移区内的横向部以及与所述横向部连接的纵向部，横向部的宽度大于纵向部的宽度；所述纵向部的顶端与发射极金属欧姆接触，发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本发明结构紧凑，能降低IGBT器件的米勒电容，提高IGBT器件的开关速度，提高IGBT器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有倒T型屏蔽栅的IGBT器件，包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区，在所述第一导电类型漂移区上设置元胞结构；其特征是：在所述IGBT器件的截面上，元胞结构包括对称分布于第一导电类型漂移区内的第二导电类型体区，在每个第二导电类型体区内设置第一导电类型源区；在第一导电类型漂移区的上方设置与第二导电类型体区以及第一导电类型源区欧姆接触的发射极金属；还包括与第一导电类型漂移区适配连接的栅极多晶硅体，所述栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及对称分布于所述屏蔽栅两侧的控制栅，控制栅支撑于第一导电类型漂移区上方，所述控制栅、屏蔽栅通过栅氧化层与第一导电类型漂移区间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；屏蔽栅呈倒T型状，屏蔽栅包括伸入第一导电类型漂移区内的横向部以及与所述横向部连接的纵向部，横向部的宽度大于纵向部的宽度；所述纵向部的顶端与发射极金属欧姆接触，发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。
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