[发明专利]能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件有效
| 申请号： | 201910773747.3 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110444588B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈钱;许生根;张金平;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，其每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及第一导电类型载流子存贮区；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。本发明提高载流子存贮层的掺杂浓度，能有效降低正向导通压降以及开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 向导 通压降 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，包括具有第一导电类型的半导体基板以及设置于所述半导体基板中心区的元胞区，元胞区内的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽位于半导体基板内；其特征是：在沟槽IGBT器件的截面上，每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，在元胞沟槽内的侧壁以及底壁上均生长有绝缘氧化层，在生长有绝缘氧化层的元胞沟槽内填充栅极多晶硅；所述栅极多晶硅通过覆盖元胞沟槽槽口的绝缘介质层与半导体基板正面上的发射极金属绝缘隔离；在每个元胞沟槽的外侧设置第二导电类型基区，第二导电类型基区与相邻元胞沟槽的外侧接触；在第二导电类型基区内设置第一导电类型发射区以及第二导电类型第一发射区，第二导电类型第一发射区位于第一导电类型发射区的外侧，且第一导电类型发射区与相邻元胞沟槽的外侧壁接触；元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及设置于所述第二导电类型第二发射区正下方的第一导电类型载流子存贮区，所述第二导电类型第二发射区在半导体基板内的结深小于第二导电类型基区在半导体基板内的结深；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。
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