[发明专利]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。

主权项

1.一种提高氮化镓器件外延层质量的结构，包括衬底（1）、i‑GaN层（5）和GaN cap层（8），所述衬底（1）位于最底层，GaN cap层（8）位于最顶层，衬底（1）上部设置有AlN缓冲层（2），GaN cap层（8）的下方设置有AlGaN barrier层（7），i‑GaN层（5）设置在AlGaN barrier层（7）的下方，i‑GaN层（5）的下部设置有c‑GaN层（4），其特征在于，c‑GaN层（4）和AlN缓冲层（2）之间设置有缓变式多层缓冲层（3），AlGaN barrier层（7）和i‑GaN层（5）之间设置有AlN spacer层（6）。