[发明专利]制造半导体器件的方法和封装件有效

专利信息
申请号: 201910774022.6 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110875196B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 吴俊毅;谢静华;余振华;刘重希;王守怡;陈建勋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/48
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 根据本申请的实施例,提供了制造半导体器件的方法和封装件。该方法包括形成器件结构,该方法包括在半导体器件上方形成电连接至半导体器件的第一再分布结构,形成围绕第一再分布结构和半导体器件的模塑材料,在模塑材料和第一再分布结构上方形成第二再分布结构,第二再分布结构电连接至第一再分布结构,将互连结构附接至第二再分布结构,互连结构包括核心衬底,互连结构电连接至第二再分布结构,在互连结构的侧壁上以及第二再分布结构和互连结构之间形成底部填充材料。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法 封装
【主权项】:
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