[发明专利]一种量子垒掺杂的深紫外LED及制备方法在审
| 申请号： | 201910774621.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110459655A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈谦;张会雪;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 42231 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 江慧<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子垒掺杂的深紫外LED及制备方法，所述量子垒掺杂的深紫外LED包括蓝宝石衬底、N型AlGaN接触层、量子阱有源层、P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层，所述蓝宝石衬底上依次设置N型AlGaN接触层，量子阱有源层，P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层；所述量子阱有源层由6个周期的量子叠层依次堆叠构成，所述量子叠层包括量子垒层和量子阱层，所述量子垒层为12nm的Al0.55Ga0.45N量子垒，且所述量子垒层Si掺杂浓度为5×1018～1×1019。本发明利用量子垒掺杂实现极化自屏蔽的效应，提高量子阱内部的载流子波函数重叠率，从而提高深紫外LED的出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子垒 量子阱有源层 深紫外LED 量子垒层 载流子输运层 蓝宝石 掺杂的 接触层 衬底 叠层 量子 载流子 掺杂 出光功率 量子阱层 依次设置 波函数 量子阱 重叠率 自屏蔽 极化 堆叠 制备 | ||
【主权项】：
1.一种量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，包括蓝宝石衬底、N型AlGaN接触层、量子阱有源层、P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层，所述蓝宝石衬底上依次设置N型AlGaN接触层，量子阱有源层，P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层；/n所述量子阱有源层由6个周期的量子叠层依次堆叠构成，所述量子叠层包括量子垒层和量子阱层，所述量子垒层为12nm的Al0.55Ga0.45N量子垒，且所述量子垒层Si掺杂浓度为5×1018～1×1019。/n
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