[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201910774748.X | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943160A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 金海光;吴启明;林杏莲;江法伸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明的实施例涉及集成芯片及其形成方法。该集成芯片包括设置在一个或多个互连层上方的底电极和布置在底电极上方的扩散阻挡层。数据存储层通过扩散阻挡层与底电极分隔开。顶电极位于数据存储层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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