[发明专利]星型微波等离子体化学气相沉积装置及制备大面积一层或少层二硫化钼薄膜的方法

摘要

本发明涉及低压化学气相沉积制备技术领域，具体涉及一种星型微波等离子体化学气相沉积装置及制备大面积一层或少层二硫化钼薄膜的方法。该方法包括：a)对各基片进行预清洁处理并置于石英腔体中；b)称取反应物并分别放置于第一原料载台上和第二原料载台上；c)对星型微波等离子体化学气相沉积装置进行抽真空处理；d)对星型微波等离子体化学气相沉积装置进行洗气；e)调节气体流量、反应压强、反应温度、加热速率、沉积时间，进行反应，在各基片上即得一层或少层二硫化钼薄膜。本发明制备的薄膜可同时满足大面积、层数可控、高迁移率等特性要求，对于大面积一层和少层可控薄膜的制备可控，可用于工业化大批量生产。

主权项

1.一种星型微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括：/n水平设置的管状的石英腔体(4)，所述石英腔体(4)的一端设置有连通口，所述石英腔体(4)的另一端设置有观察窗(5)，在所述石英腔体(4)内自所述连通口向所述观察窗(5)的方向依次设置有第一原料载台(11)、第二原料载台(10)和若干基片(9)；/n连通所述石英腔体(4)的连通口的进气管(2)；/n多个分别通过管路连通所述进气管(2)的气体流量计(1)，在各所述气体流量计(1)和所述进气管(2)之间的管路上设置有一个截止阀，各所述气体流量计(1)分别通过管路连通惰性气体气瓶；/n在各所述基片(9)和所述观察窗(5)之间连通所述石英腔体(4)的波纹管(6)，所述波纹管(6)上设置有微调阀(8)；/n连通所述波纹管(6)的真空泵(7)，在所述波纹管(6)上位于所述微调阀(8)和所述真空泵(7)之间设置有一个主阀；/n套设在所述石英腔体(4)外的谐振腔(12)，在所述谐振腔(12)的外壁上沿着所述谐振腔(12)的长度方向设置有若干微波源(13)；/n以及用于固定所述石英腔体(4)和所述谐振腔(12)的装置外壁(3)。/n