[发明专利]一种高库伦效率硅基负极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910775331.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110649234A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 林少雄;周勇岐;王辉;许家齐;高玉仙 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄少波 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高库伦效率硅基负极材料的制备方法，制备的硅基材料内部均匀渗入还原性物质，材料内部不会出现明显晶相分离状态，降低材料在脱嵌锂过程中体积变化带来的应力，可有效降低材料粉化现象，提升材料循环性能；主体硅基结构经过还原物质还原后，首次充放电过程中硅晶相有较高的嵌锂容量和首次效率，硅酸盐类晶相降低了材料使用过程中对锂离子的消耗，提高材料首次库伦效率；表面包覆碳层可有效降低造粒材料表面缺陷，提升材料导电性能和均匀性，从而提升硅基材料的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基材料 制备 材料导电性能 首次库伦效率 还原性物质 首次充放电 表面包覆 材料内部 材料使用 材料循环 硅基负极 硅酸盐类 还原物质 库伦效率 嵌锂容量 首次效率 体积变化 循环性能 均匀性 相分离 锂离子 粉化 硅基 硅晶 碳层 脱嵌 造粒 渗入 还原 消耗 | ||
【主权项】：
1.一种高库伦效率硅基负极材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、以还原性物质为靶材，在氧化亚硅材料表面镀膜；/nS2、将S1得到的氧化亚硅材料在惰性气氛下煅烧，得到固体粉末；/nS3、将固体粉末经过酸洗和水洗处理，除去固体粉末表面的杂质；/nS4、将S3得到的固体粉末进行碳化包覆，得到高库伦效率硅基负极材料。/n
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