[发明专利]一种阈值电压基准电路在审
申请号: | 201910775979.2 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110502056A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 王东俊;邓乐武;张雷;吴杰;李丽娟 | 申请(专利权)人: | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 51121 成飞(集团)公司专利中心 | 代理人: | 梁义东<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 610092*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种阈值电压基准电路,包括电流源模块、CTAT电压产生模块和基准电压输出模块。通过CTAT电压产生模块将与温度成负相关的电压作为基准电压输出模块的输入,基准电压输出模块自身与温度成正相关,两个电压经过基准电压输出模块输出电压基准值,同时通过调节MOS管的尺寸,来调整电压基准电路的温度系数,解决了现有带隙基准电路需要放大器进行钳位的不足,在不需要使用放大器对的情况下,使工作电压在0.8V,相比传统基准源工作的功耗仅为36纳瓦,能实现更低的功耗,可为低功耗的航空航天电子产品提供稳定可靠的基准电压源,总体功耗的纳瓦,远远低于传统的带隙基准的功耗。 | ||
搜索关键词: | 基准电压输出模块 功耗 放大器 电压产生模块 基准电路 带隙基准电路 输出电压基准 电流源模块 基准电压源 带隙基准 调整电压 工作电压 航空航天 温度系数 阈值电压 传统的 低功耗 负相关 基准源 正相关 钳位 电子产品 | ||
【主权项】:
1.一种阈值电压基准电路,其特征在于:包括电流源模块、CTAT电压产生模块和基准电压输出模块;/n所述电流源模块包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和电阻R;所述第一PMOS管(MP1)与第二PMOS管(MP2)的源极相连并接有电源电压VDD,所述第二PMOS管(MP2)的栅漏短接并连接第一PMOS管(MP1)的栅极和第二NMOS管(MN2)的漏极,所述第二PMOS管(MP2)的栅漏短接并连接第一PMOS管(MP1)的漏极并作为基准电路的输出偏置电压VB1;所述第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第一PMOS管(MP1)的漏极和第二NMOS管(MN2)的栅极;所述电阻R的一端与第一NMOS管(MN1)的源极连接后接地,另一端与第二PMOS管(MP2)的源极连接;/n所述CTAT电压产生模块包括第三NMOS管(MN3)和第三PMOS管(MP3),所述第三PMOS管(MP3)的栅极连接输出偏置电压VB1,源极连接电源电压VDD;所述第三NMOS管(MN3)栅漏短接并连接第三PMOS管(MP3)的漏极,并作为基准电路的输出电压VCTAT,所述第三PMOS管(MP3)的源极接地;/n所述基准电压输出模块包括第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(7)、第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9),所述第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的栅极相连并连接输出偏置电压VB1,所述第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的源极相连并连接电源电压VDD,所述第四NMOS管(MN4)的漏极分别与第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)的源极连接,所述第五NMOS管(MN5)的漏极分别与第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9)的源极连接,所述第六PMOS管(MP6)的栅极连接输出电压VCTAT,所述第四PMOS管(MP4)的栅漏短接并连接第六PMOS管(MP6)的漏极和第五NMOS管(MN5)的栅极,所述第七PMOS管(MP7)的栅漏短接并连接第八PMOS管(MP8)的栅极和第五NMOS管(MN5)的漏极,所述第四NMOS管(MN4)与第五NMOS管(MN5)的源极连接后接地,所述第六NMOS管(MN6)的栅漏短接并连接第八PMOS管(MP8)的漏极和第七NMOS管(MN7)的栅极,所述第九PMOS管(MP9)的栅漏短接并连接第七NMOS管(MN7)的漏极且并作为基准电路的输出基准电压VREF,所述第六NMOS管(MN6)和第七NMOS管(MN7)的源极相连后接地。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都飞机工业(集团)有限责任公司,未经成都飞机工业(集团)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910775979.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。