[发明专利]一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。

主权项

1.一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，其特征在于，包括：/nS1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaNHEMT外延片；/nS2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；/nS3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；/nS4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；/nS5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；/nS6：制备钝化层及电极。/n