[发明专利]石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法在审
申请号: | 201910777068.3 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN112410750A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 茹占强;马文珍;梁冰;宋贺伦;朱煜;宋盛星;殷志珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C14/18;C23C14/58;C23C16/02;C22F1/08;C22F1/02 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法。该制备方法包括:提供热沉基板并对所述热沉基板进行预处理;在所述热沉基板上形成石墨烯薄膜层;在所述石墨烯薄膜层上形成金属膜层;对所述石墨烯薄膜层和所述金属膜层进行热压处理。该石墨烯薄膜复铜基热沉包括:热沉基板;石墨烯薄膜层,设置于所述热沉基板上;金属膜层,设置于所述石墨烯薄膜层上。通过制作石墨烯薄膜层来增强了热沉材料的平面导热能力,且石墨烯薄膜层有利于抑制芯片的热膨胀性,延长了芯片的使用寿命,同时通过设置金属膜层可提高热沉材料的焊接性能,最后通过热压工艺可提高石墨烯薄膜层与热沉基板的结合力。 | ||
搜索关键词: | 石墨 薄膜 复铜基热沉 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910777068.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液氨输送系统及方法
- 下一篇:一种断路器失灵保护实现方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的