[发明专利]石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910777068.3 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN112410750A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 茹占强;马文珍;梁冰;宋贺伦;朱煜;宋盛星;殷志珍 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C14/18;C23C14/58;C23C16/02;C22F1/08;C22F1/02
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法。该制备方法包括:提供热沉基板并对所述热沉基板进行预处理;在所述热沉基板上形成石墨烯薄膜层;在所述石墨烯薄膜层上形成金属膜层;对所述石墨烯薄膜层和所述金属膜层进行热压处理。该石墨烯薄膜复铜基热沉包括:热沉基板;石墨烯薄膜层,设置于所述热沉基板上;金属膜层,设置于所述石墨烯薄膜层上。通过制作石墨烯薄膜层来增强了热沉材料的平面导热能力,且石墨烯薄膜层有利于抑制芯片的热膨胀性,延长了芯片的使用寿命,同时通过设置金属膜层可提高热沉材料的焊接性能,最后通过热压工艺可提高石墨烯薄膜层与热沉基板的结合力。
搜索关键词: 石墨 薄膜 复铜基热沉 及其 制备 方法
【主权项】:
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