[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910777193.4 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110518057A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;王世铭;黄志森;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括源极区、漏极区、第一轻掺杂漏极LDD区、第二LDD区、第一梯度LDD区以及第二梯度LDD区；栅氧化层，该栅氧化层位于衬底中的沟道上，沟道位于源极区和漏极区之间；栅极，该栅极位于栅氧化层上；其中，第一梯度LDD区和第二梯度LDD区通过向衬底进行梯度LDD离子注入形成。本申请通过在LDD区下方增加梯度LDD区，该梯度LDD区可以使漏极端高电场得到有效分散，从而在一定程度上改善了半导体器件的热载流子效应，提升半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 栅氧化层 漏极区 源极区 沟道 热载流子效应 轻掺杂漏极 有效分散 高电场 漏极端 制备 离子 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括源极区、漏极区、第一轻掺杂漏极LDD区、第二LDD区、第一梯度LDD区以及第二梯度LDD区，所述第一LDD区位于所述源极区和所述漏极区之间且靠近所述源极区，所述第二LDD区位于所述源极区和所述漏极区之间且靠近所述漏极区，所述第一梯度LDD区位于所述第一LDD区下方，所述第二梯度LDD区位于所述第二LDD区下方；/n栅氧化层，所述栅氧化层位于所述衬底中的沟道上，所述沟道位于所述源极区和所述漏极区之间；/n栅极，所述栅极位于所述栅氧化层上；/n其中，所述第一梯度LDD区和所述第二梯度LDD区是通过向所述衬底进行梯度LDD离子注入形成。/n
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