[发明专利]一种脉冲功率交流老化试验平台及试验方法有效
| 申请号： | 201910778881.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110470967B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 孙兆龙;袁志方;刘小虎 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430033 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲功率交流老化试验平台及试验方法，用于对脉冲功率条件下IGBT模块的老化情况进行测试，并对IGBT模块的寿命进行评估，试验平台包括以下单元：主电路单元，用于模拟完整的老化周期；测量电路单元，用于实现对IGBT模块的饱和压降和结壳热阻的测量；保护电路单元，用于对试验平台进行相应的保护；信息处理单元，用于对试验过程中的各种信息进行控制和处理；上位机，用于接收信息处理单元发送过来的各种信息并进行显示与控制。本发明实现了脉冲功率条件下IGBT模块的老化试验，完成了IGBT模块饱和压降及结壳热阻测量，可以为评估IGBT模块寿命提供有力支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 功率 交流 老化试验 平台 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲功率交流老化试验平台，用于对脉冲功率条件下IGBT模块的老化情况进行测试，并对IGBT模块的寿命进行评估，其特征在于：包括以下单元：/n主电路单元，包括全桥逆变器主电路及IGBT模块驱动电路；主电路工作在脉冲功率的模式下，用于模拟完整的老化周期；/n测量电路单元，包括IGBT模块饱和压降测量电路和IGBT模块结壳热阻测量电路，用于实现对IGBT模块的饱和压降和结壳热阻的测量；/n保护电路单元，用于对试验平台进行相应的保护，试验平台基于直流母线短路电流进行保护；/n信息处理单元，用于对试验过程中的各种信息进行控制和处理；/n上位机，用于接收信息处理单元发送过来的各种信息并进行显示与控制。/n
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