[发明专利]一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910779092.0 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110518117A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 熊伟;张文广;邓磊敏;刘敬伟;吴昊;段军 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 许恒恒;李智<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。本发明通过对器件所采用的关键功能层材料及器件整体结构设计等进行改进，与现有技术相比，完全基于二维材料构建了新型忆阻器，颠覆了传统的MIM结构，具有较低的工作电压、抗疲劳性和循环稳定特性；并且，该忆阻器在模拟神经元传递信息上表现出与神经突触传递信息高度的相似性，在未来类脑结构开发上具有极大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 忆阻器 金属硫化合物 传递信息 异质结层 微电子技术领域 循环稳定特性 整体结构设计 模拟神经元 中间介质层 底电极层 叠层结构 顶电极层 工作电压 关键功能 抗疲劳性 层叠层 传统的 脑结构 神经突 异质结 衬底 构建 制备 应用 改进 表现 开发 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料异质结的忆阻器，其特征在于，自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，厚度为1-50nm，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。/n
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