[发明专利]一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法

摘要

一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，涉及一种剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法。本发明是要解决现有的化学气相沉积方法制备的二硫化铼薄膜在后继处理过程中出现的有机杂质吸附和氢氟酸污染的技术问题。本发明：一、多层ReS₂薄膜的制备；二、无水乙醇表面预处理；三、剥离转移。本发明利用外延生长ReS₂和云母基地的晶格失配残余应力和无水乙醇在ReS₂表面润湿力，无水乙醇可以在ReS₂膜层表面和层间充分润湿，从而产生润湿切应力，使得不同ReS₂层分离，实现了大面积单层ReS₂薄膜的制备和转移。

主权项

1.一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，其特征在于利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法是按以下步骤进行的：一、多层ReS₂薄膜的制备：将ReO₃粉末和S粉一起放入同一个陶瓷舟中，将云母基板扣在陶瓷舟的正上方，然后将陶瓷舟和云母基板放入管式炉中，向管式炉中通入Ar气，在氩气保护下将管式炉升温至600℃～650℃并保温10min～15min，在氩气保护下自然冷却至室温，即可得到生长有多层ReS₂薄膜的云母基板；所述的ReO₃粉末和S粉的质量比为1:(2～3)；二、无水乙醇表面预处理：将无水乙醇均匀滴加到云母基板上ReS₂薄膜的表面，润湿ReS₂薄膜，然后将云母基板放置到60℃～65℃的热板上加热烘烤2min～3min以去除无水乙醇；三、剥离转移：将步骤二处理后的云母基板完全浸没到去离子水中，进行超声处理，即可得到单层和多层大面积ReS₂薄膜漂浮在水面，然后使用SiO₂/Si复合基板将ReS₂薄膜从水中捞出，ReS₂薄膜覆盖在SiO₂所在的表面，然后烘干，即在SiO₂/Si复合基板上得到二硫化铼纳米片。