[发明专利]一种射频电源系统、等离子体处理器及其调频匹配方法有效
申请号: | 201910779524.8 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110299279B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 倪图强;徐蕾;涂乐义 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种射频电源系统,一种等离子体处理器及其调频匹配方法,应用于具有超低频率的偏置射频功率源的等离子体处理器。包括阻抗分段频率匹配获取步骤,将低频射频功率输出周期分为多个阻抗匹配段,在每个阻抗匹配段内,调整高频射频源的输出频率,并检测高频射频电源的反射功率,在经历一个或多个低频射频功率输出周期后获得每个阻抗匹配段的区段匹配频率并存储。随后在变频匹配步骤中,设定高频射频电源的输出频率在上述存储的多个区段匹配频率周期性的变化,以匹配各个阻抗匹配段中的特征阻抗。 | ||
搜索关键词: | 阻抗匹配段 等离子体处理器 匹配 低频射频功率 高频射频电源 匹配频率 射频电源 输出频率 输出周期 调频 存储 高频射频源 射频功率源 超低频率 反射功率 分段频率 匹配步骤 特征阻抗 变频 偏置 阻抗 检测 应用 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理器,包括:反应腔,所述反应腔内设置一个基座,所述基座上放置有一晶圆,源射频电源,用于施加第一射频周期信号到所述反应腔内,以点燃并维持等离子体,所述源射频电源为调频电源,所述第一射频周期信号的频率在一预定范围内可调;偏置射频电源,用于施加第二射频周期信号到所述基座,所述第二射频周期信号的每个周期包括多个阻抗匹配段,所述偏置射频电源的输出电压在多个阻抗匹配段之间变化;控制器,用于控制所述源射频电源在每个阻抗匹配段输出一区段匹配频率,以保证所述源射频电源输出的射频功率能有效施加到所述反应腔内,减小反射功率损耗。
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