[发明专利]锂离子电池光还原银修饰纳米硅负极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910779654.1 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN110444733B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 刘芳洋;赖延清;蒋良兴;贾明;李劼;刘业翔;汪齐;刘宇 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01M4/134 分类号: H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 代理人: 曾芳琴
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种锂离子电池光还原银修饰纳米硅负极及其制备方法,该方法采用光还原法制备得到银修饰硅纳米复合负极。负极由粒径200nm的纳米硅及其表面修饰的银纳米颗粒或纳米银包覆层组成,银纳米颗粒的粒径大小为5‑20nm、纳米银包覆层的厚度为10‑20nm。由于本发明方法的使用,纳米硅材料电导率和循环过程中结构稳定性都得到改善,循环及倍率性能优良,且所用硅成本低,环境友好;同时,该方法制备流程短,废水易于处理,无污染,工艺简单,可产业推广。
搜索关键词: 锂离子电池 光还原 修饰 纳米 负极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种锂离子电池光还原银修饰纳米硅负极,其特征在于,所述负极由粒径<200nm的纳米硅及其表面修饰的银纳米颗粒或纳米银包覆层组成,银纳米颗粒的粒径大小为5‑20nm、纳米银包覆层的厚度为10‑20nm。
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