[发明专利]一种一体黑触摸屏及其制作方法有效
| 申请号： | 201910779918.3 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110658947B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 易和平;周伟杰;时庆文 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一体黑触摸屏，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板、油墨层、第一AR膜、第一ITO镀膜层、第二ITO镀膜层、钼铝钼镀膜层和第二AR膜，所述第一AR膜的堆叠方式为氮化硅‑氧化硅，所述第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm‑30nm和20nm‑40nm，所述第二ITO镀膜层的厚度为70nm‑90nm，所述第二AR膜的堆叠方式为氧化硅‑氮化硅，所述第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm‑30nm。由于第二ITO镀膜层的厚度、第一AR膜堆叠厚度和第二AR膜堆叠厚度相对应，以保证有ITO走线位置与无ITO走线位置的反射率基本保持一致，以防止ITO走线被用户看到，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一体 触摸屏 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种一体黑触摸屏，其特征在于，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板、油墨层、第一AR膜、第一ITO镀膜层、第二ITO镀膜层、钼铝钼镀膜层和第二AR膜，所述第一AR膜的堆叠方式为氮化硅-氧化硅，所述第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，所述第二ITO镀膜层的厚度为70nm-90nm，所述第二AR膜的堆叠方式为氧化硅-氮化硅，所述第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。/n
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