[发明专利]存储单元、反熔丝结构及其制备方法和编程方法在审
| 申请号： | 201910780744.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420662A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种存储单元、反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法和编程方法。该反熔丝结构可以包括第一导电层、反熔丝层以及第二导电层。该反熔丝层设于第一导电层上，且反熔丝层包括磁性隧道结。该第二导电层设于反熔丝层远离第一导电层的一侧。本公开能够使存储单元具有多次可编程的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 反熔丝 结构 及其 制备 方法 编程 | ||
【主权项】：
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