[发明专利]闪存制造方法有效
| 申请号： | 201910781805.7 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110491877B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 杨辉;陈宏;王卉;韩国庆;杜天伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11548 | 分类号： | H01L27/11548;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅层和掩膜层；在所述栅极氧化物层、所述浮栅层、所述掩膜层和所述衬底上形成浅沟槽隔离结构；光刻胶定义浅沟槽隔离结构的刻蚀区域和离子注入的区域；对浅沟槽隔离结构进行刻蚀；对衬底的离子注入区域进行离子注入。对浅沟槽隔离结构刻蚀之后再进行离子注入，可以减少离子注入时产生的颗粒对浅沟槽隔离结构刻蚀的影响，使得浅沟槽隔离结构刻蚀的尺寸能够达标，减少闪存的子线和位线短路的风险，最终提升产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅层和掩膜层；/n在所述栅极氧化物层、所述浮栅层、所述掩膜层和所述衬底上形成浅沟槽隔离结构；/n光刻胶定义浅沟槽隔离结构的刻蚀区域和离子注入的区域；/n对所述浅沟槽隔离结构进行刻蚀；/n对衬底的离子注入区域进行离子注入。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
