[发明专利]一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法在审
| 申请号： | 201910782125.7 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110344113A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘世龙;张志强;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 江苏美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立;艾中兰 |
| 地址： | 212200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法，采用边皮倾斜设置在坩埚四周内壁或硅块铺设在坩埚四周内侧的方法，通过设置一定间隙，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低多晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅锭 氮化硅 坩埚 装料 单晶锭 硅液 铸造 氮化硅涂层 接触反应 倾斜设置 四周内壁 坩埚侧壁 硅原子 错排 硅锭 硅块 流延 位错 冲刷 铺设 | ||
【主权项】：
1.一种减少多晶硅锭氧含量和杂质点的装料方法，其特征在于包括如下步骤：1)在坩埚底部均匀铺设多晶硅籽晶；2)在多晶硅籽晶层上铺设尾料，尾料与尾料之间紧密贴合，尾料与坩埚内壁紧密贴合；紧密贴合的尾料形成一个屏障，在融化阶段前期防止硅液流延到坩埚底部，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量；3)将边皮倾斜设置在坩埚四周内壁上，边皮与边皮之间紧密贴合，边皮顶部与坩埚侧壁紧密贴合，边皮底部与坩埚侧壁之间留有10mm‑20mm的间隙；在融化阶段前期，边皮和坩埚侧壁之间的间隙减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低多晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错；4)在边皮包围形成的空间中装入原生多晶硅棒料、原生多晶硅小块料、提纯多晶硅块；5)将装满硅料的坩埚放入铸锭炉中制得多晶硅锭。
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