[发明专利]薄膜应变传感器制备方法有效
| 申请号： | 201910782398.1 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110487166B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李学瑞;李文博;李炯利;王旭东 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01L1/18;G01D5/16 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种薄膜应变传感器制备方法，包括：在金属基底上制备薄膜绝缘层。在薄膜绝缘层的一侧形成金属敏感薄膜层。在金属敏感薄膜层远离薄膜绝缘层的一侧形成第一粘接层。在第一粘接层远离金属敏感薄膜层的一侧形成石墨烯层。在石墨烯层远离第一粘接层的一侧形成第二粘接层。其中，金属敏感薄膜层、第一粘接层、石墨烯层和第二粘接层的形状相同且依次层叠设置，形成电阻栅和电极连接结构。上述薄膜应变传感器制备方法可以使薄膜应变传感器同时具备金属与石墨烯的特性，从而同时具备优良的导电性能与较强的物理性能，具有灵敏度高、安装环境广泛等优点，同时可以应用于较为恶劣如酸碱、盐雾、高低温交替等环境。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 应变 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S10，在金属基底上制备薄膜绝缘层；/n步骤S20，在所述薄膜绝缘层的一侧形成金属敏感薄膜层；/n步骤S30，在所述金属敏感薄膜层远离所述薄膜绝缘层的一侧形成第一粘接层；/n步骤S40，在所述第一粘接层远离所述金属敏感薄膜层的一侧形成石墨烯层；/n步骤S50，在所述石墨烯层远离所述第一粘接层的一侧形成第二粘接层；/n其中，所述金属敏感薄膜层、所述第一粘接层、所述石墨烯层和所述第二粘接层的形状相同且依次层叠设置，形成电阻栅和电极连接结构。/n
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