[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910782648.1 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858563A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 宋炫升;李斗铉;李允逸;张在兰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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