[发明专利]一种平面无掺杂异质结-钙钛矿叠层电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种平面无掺杂异质结‑钙钛矿叠层电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括连接在一起的钙钛矿顶层太阳能电池和异质结底层太阳能电池，钙钛矿顶层太阳能电池包括从上到下依次设置的前金属电极层、第一透明导电氧化物层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层和电子传输层，钙钛矿光吸收层包括从上到下依次设置的钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C，钙钛矿层A的禁带宽度为2.4‑3.0ev，钙钛矿层B的禁带宽度为2.0‑2.6ev，钙钛矿层C的禁带宽度为1.9‑2.2ev，且钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C的禁带宽度依次减小，本发明具有光电转化效率超过28％、开路电压高、增加了发电量的优点。

主权项

1.一种平面无掺杂异质结-钙钛矿叠层电池，包括连接在一起的钙钛矿顶层太阳能电池和异质结底层太阳能电池，其特征在于，钙钛矿顶层太阳能电池包括从上到下依次设置的前金属电极层(1)、第一透明导电氧化物层(2)、空穴传输层(3)、钙钛矿光吸收层(4)和电子传输层(5)，钙钛矿光吸收层(4)包括从上到下依次设置的钙钛矿层A(4.1)、钙钛矿层B(4.2)和钙钛矿层C(4.3)，钙钛矿层A(4.1)的禁带宽度为2.4-3.0ev，钙钛矿层B(4.2)的禁带宽度为2.0-2.6ev，钙钛矿层C(4.3)的禁带宽度为1.9-2.2ev，且钙钛矿层A(4.1)、钙钛矿层B(4.2)和钙钛矿层C(4.3)的禁带宽度依次减小。/n