[发明专利]可变电阻式存储器的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910784725.7 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420919A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周仕旻;赖国智;萧伟铭;林慧婷;余思瑶;何念葶;黄信富;林进富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种可变电阻式存储器的结构及其制作方法，其中该可变电阻式存储器结构包含一介电层，一第一可变电阻式存储器设置于介电层上，一第二可变电阻式存储器设置介电层上并且在第一可变电阻式存储器的一侧，一沟槽位于第一可变电阻式存储器和第二可变电阻式存储器之间的介电层内，其中第一可变电阻式存储器包含一下电极、一可变电阻层和一上电极，可变电阻层位于下电极和上电极之间，其中下电极的宽度小于上电极的宽度，下电极的宽度小于可变电阻层的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910784725.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
