[发明专利]一种红外三极管芯片制造工艺

摘要

本发明涉及一种红外三极管芯片制造工艺，包括以下步骤：A、将外延层厚度为30‑40μm、电阻率10‑16Ω·cm、型号为N100的CZ单晶外延片，进行初始氧化；B、依次进行基区光刻、基区刻蚀、基区预氧化、硼注入、LPCVD_SiO2和基区退火,所述基区退火的工艺条件为在1150℃的环境下通入60min的N2、在1000℃的环境下通入30min的H2/O2/HCl混合气体，其中Rs为70‑90Ω/□，基区结深为2‑4μm；C、依次进行发射区光刻、发射区刻蚀、发射区磷预淀积、发射区氧化和发射区扩散，所述基区退火前和所述发射区扩散后淀积形成的氧化层厚度为D、PECVD_SiN、引线孔光刻、引线孔刻蚀，形成厚度为折射率为1.9‑2.1的SiN层；E、溅射铝、铝反刻、铝刻蚀、溅射铝膜退火；F、背面减薄、金属化。

主权项

1.一种红外三极管芯片制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：A、将外延层厚度为30‑40μm、电阻率10‑16Ω·cm、型号为N<100>的CZ单晶外延片，进行初始氧化；B、依次进行基区光刻、基区刻蚀、基区预氧化、硼注入、LPCVD_SiO₂和基区退火,所述基区退火的工艺条件为在1150℃的环境下通入60min的N₂、在1000℃的环境下通入30min的H₂/O₂/HCl混合气体，其中Rs为70‑90Ω/□，Xj为2‑4μm；C、依次进行发射区光刻、发射区刻蚀、发射区磷预淀积、发射区氧化和发射区扩散，所述基区退火前和所述发射区扩散后淀积形成的氧化层厚度为D、PECVD_SiN、引线孔光刻、引线孔刻蚀，形成厚度为折射率为1.9‑2.1的SiN层；E、溅射铝、铝反刻、铝刻蚀、溅射铝膜退火；F、背面减薄、金属化。