[发明专利]一种双阻变层忆阻器及制备方法在审
| 申请号： | 201910787219.3 | 申请日： | 2019-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN110676375A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 叶葱;刘磊;柯善武;刘炎欣 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 42242 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 严超 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双阻变层忆阻器及制备方法，所述双阻变层忆阻器包括依次叠加的底电极、第一阻变层、第二阻变层及顶电极；其中，所述第一阻变层由多元钙钛矿氧化物、二元金属氧化物、硫族固态电解质或氮化物中的一种或多种制备；所述第二阻变层由铁电材料制备。本发明的有益效果在于(1)制备方法简单、易于操作；(2)忆阻器在插入铁电材料制备的阻变层后具有阻变窗口大，器件的耐久性好，保持时间长等优势，并获得了多级存储的功能；(3)在施加电压刺激时可连续调控电阻，具有生物突触仿生的功能；(4)可以对生物突触中的时序依赖突触可塑性学习规则进行模拟，具有自主学习的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变层 制备 忆阻器 突触 铁电材料 二元金属氧化物 钙钛矿氧化物 固态电解质 多级存储 连续调控 施加电压 时序依赖 依次叠加 氮化物 底电极 顶电极 可塑性 电阻 硫族 刺激 学习 | ||
【主权项】：
1.一种双阻变层忆阻器，其特征在于，所述双阻变层忆阻器包括依次叠加的底电极、第一阻变层、第二阻变层及顶电极；/n其中，所述第一阻变层由多元钙钛矿氧化物、二元金属氧化物、硫族固态电解质或氮化物中的一种或多种制备；/n所述第二阻变层由铁电材料制备。/n
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