[发明专利]正交通孔链测试结构开路失效的分析方法有效
申请号: | 201910788061.1 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110504181B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 周文婷;高金德 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种正交通孔链测试结构开路失效的分析方法,先电性验证哪条正交通孔链出现开路情况,逐层研磨至失效位置上层介质层;将开路正交通孔链一端接地,使其处于接地状态,该通孔链另一端处于悬空状态,另一条相邻正常的通孔链处于悬空状态,在失效点处上层金属互联层会出现明暗差别的电压衬度图像,观察失效点处上层金属互联层上表面是否有失效点;在确定的上层金属互联层失效点处的x方向与失效区域相似结构处,利用聚焦离子束去层直至看见下层金属互联层结构,去层区域中与失效点X方向所对应的下层金属互联层所在位置即为失效点下层金属互联层位置,从而确定TEM的制样位置。本发明能够精确定位电路中开路失效模式的异常位置。 | ||
搜索关键词: | 交通 测试 结构 开路 失效 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种正交通孔链测试结构开路失效的分析方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤1、先电性验证哪条正交通孔链出现开路情况,逐层研磨至失效位置上层介质层;/n步骤2、将开路正交通孔链一端接地,使其处于接地状态,该通孔链另一端处于悬空状态,另一条相邻正常的通孔链处于悬空状态,在失效点处上层金属互联层会出现明暗差别的电压衬度图像,观察失效点处上层金属互联层上表面是否有失效点,若有,则执行步骤4;若没有,则失效位置在下方通孔及金属互联线处,执行步骤3;/n步骤3、在步骤2确定的上层金属互联层失效点处的x方向与失效区域图案结构一致处,利用聚焦离子束去层直至看见下层金属互联层结构,去层区域中与失效点X方向所对应的下层金属互联层所在位置即为失效点下层金属互联层位置,从而确定透射电子显微镜的制样位置;/n步骤4、通过截面透射电子显微镜,确定导致金属开路的失效机理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造