[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910788113.5 申请日: 2019-08-26
公开(公告)号: CN110600381A 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 江文娟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L29/786
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种阵列基板和阵列基板的制备方法,阵列基板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层和平坦化层;缓冲层形成在衬底的一侧,有源层形成在缓冲层远离所述衬底的一侧;栅极绝缘层形成在有源层和缓冲层上;栅极层形成在栅极绝缘层远离有源层的一侧,并图案化形成栅极;层间介质层形成在栅极层和栅极绝缘层上;源漏极层形成在层间介质层远离栅极层的一侧,并图案化形成源极和漏极,源极和漏极通过过孔与有源层连接,过孔形成在层间介质层和栅极绝缘层中;平坦化层形成在源漏极层远离层间介质层的一侧。通过将栅极绝缘层设置为整层结构,平坦化层更易填平,改善了显示效果。
搜索关键词: 栅极绝缘层 层间介质层 源层 缓冲层 栅极层 阵列基板 源漏极 衬底 平坦化层 图案化 漏极 源极 显示效果 层结构 化层 制备 填平
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底:/n缓冲层,形成在所述衬底的一侧;/n有源层,形成在所述缓冲层远离所述衬底的一侧;/n栅极绝缘层,形成在所述有源层和所述缓冲层上;/n栅极层,形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧,并图案化形成栅极;/n层间介质层,形成在所述栅极层和所述栅极绝缘层上;/n源漏极层,形成在所述层间介质层远离所述栅极层的一侧,并图案化形成源极和漏极,所述源极和所述漏极通过过孔与所述有源层连接,所述过孔形成在所述层间介质层和所述栅极绝缘层中;/n平坦化层,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧。/n
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