[发明专利]一种高频宽带水声换能器及其制造方法在审
申请号: | 201910788170.3 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110493698A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 鲜晓军;刘振华;陈世钗;汪红兵;刘良方;王登攀 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | H04R17/00 | 分类号: | H04R17/00;C08L75/04;C08L63/00;C08K3/08;C08K3/22 |
代理公司: | 50215 重庆辉腾律师事务所 | 代理人: | 卢胜斌<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明属于涉及一种高频宽带水声换能器器件,具体为一种高频宽带水声换能器及其制造方法。所述水声换能器包括从上至下依次平行安装在外壳内的匹配层、晶片背衬层以及透声包覆层;晶片为1‑3‑2型压电陶瓷复合材料结构,包括陶瓷基底,在陶瓷基底的上方生长有多个陶瓷基元,每两个陶瓷基元之间通过高分子聚合物连接;陶瓷基元上方设置有上电极;陶瓷基底下方设置有下电极,从下电极处经过背衬层和外壳引出水密电缆或水密接插件,将接收或者发射的电信号进行输入或者输出。本发明根据工作频率以及带宽特性的技术要求,对晶片和匹配层优化设计,应用于水下测速声纳以及探测声纳时,可进行宽带信号处理增加信息量、提高探测精度及增加探测范围等。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷基 水声换能器 探测 高频宽带 匹配层 下电极 声纳 晶片 压电陶瓷复合材料 高分子聚合物 宽带信号处理 测速 晶片背衬层 水密接插件 从上至下 带宽特性 工作频率 技术要求 平行安装 水密电缆 优化设计 包覆层 背衬层 电极 透声 信息量 发射 输出 生长 应用 制造 | ||
【主权项】:
1.一种高频宽带水声换能器,包括从上至下依次平行安装在外壳内的匹配层、晶片以及背衬层;其特征在于,在匹配层的上方还安装有透声包覆层;所述晶片为1-3-2型压电陶瓷复合材料结构,该结构包括陶瓷基底,在陶瓷基底的上方生长有多个陶瓷基元,每两个陶瓷基元之间通过高分子聚合物进行连接;在陶瓷基元的上方设置有上电极;在陶瓷基底的下方设置有下电极,从下电极处依次经过背衬层和外壳引出水密电缆或水密接插件,用于将接收或者发射的电信号进行输入或者输出。/n
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