[发明专利]一种AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器在识别MIF潜在抑制剂中的应用有效
| 申请号： | 201910788802.6 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112432985B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吴志生;马丽娟;张扬 | 申请（专利权）人： | 北京中医药大学 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 102488 北京市房山区阳光南大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器的制备及其在识别MIF潜在抑制剂中的应用。所述HEMT生物传感器包括换能器和识别原件，换能器为AlGaAs/GaAs HEMT器件，识别原件是修饰在HEMT器件上的MIF抗体，通过自组装单层，将MIF修饰于HEMT器件之上，构建MIF‑AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器，并应用于识别MIF潜在抑制剂，检测浓度低至pM级，检测范围涵盖五个数量级，具有高灵敏度和强专属性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algaas gaas hemt 生物 传感器 识别 mif 潜在 抑制剂 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中医药大学，未经北京中医药大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910788802.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
