[发明专利]基于神经网络的HMET散射参数提取方法、系统及存储介质在审
申请号: | 201910788925.X | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110598849A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 秦剑;黄兴原 | 申请(专利权)人: | 广州大学 |
主分类号: | G06N3/04 | 分类号: | G06N3/04;G06N3/063;G06N3/08 |
代理公司: | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 朱晓敏 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于神经网络的HMET散射参数提取方法、系统及存储介质,提取方法包括:获取高电子迁移率晶体管的若干组散射参数样本数据;抽取若干组散射参数样本数据中的部分组训练神经网络,神经网络包括彼此分离的第一神经网络和第二神经网络;将若干组散射参数样本数据中的剩余组测试神经网络;当神经网络测试通过,则获取待测高电子迁移率晶体管的测试参数并输入到神经网络以输出待测高电子迁移率晶体管的散射参数;否则,继续训练神经网络,直至神经网络测试通过。该发明对采用两个彼此独立的神经网络对高电子迁移率晶体管的散射参数进行提取,速度快、准确率高及成本相对不高。本发明广泛应用于高电子迁移率晶体管散射参数的提取。 | ||
搜索关键词: | 散射参数 神经网络 高电子迁移率晶体管 样本数据 神经网络测试 训练神经网络 电子迁移率 晶体管 测高 彼此独立 彼此分离 测试参数 存储介质 剩余组 准确率 抽取 测试 输出 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于神经网络的HMET散射参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:/n获取高电子迁移率晶体管的若干组散射参数样本数据;/n抽取所述若干组散射参数样本数据中的部分组作为训练样本数据训练神经网络,所述神经网络包括彼此分离的第一神经网络和第二神经网络;/n将所述若干组散射参数样本数据中的剩余组作为测试样本数据测试所述神经网络;/n当所述神经网络测试通过,则获取待测高电子迁移率晶体管的测试参数并输入到所述神经网络以输出待测高电子迁移率晶体管的散射参数;/n否则,继续训练所述神经网络,直至所述神经网络测试通过。/n
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