[发明专利]半导体混合蚀刻装置及方法在审
| 申请号： | 201910789238.X | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111987012A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 尹镛赫 | 申请（专利权）人： | GTI韩国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;崔春植 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体混合蚀刻装置可包括：平台；第一蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第一蚀刻腔室，所述第一蚀刻腔室对晶片执行第一蚀刻工艺；第二蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第二蚀刻腔室，所述第二蚀刻腔室对所述晶片执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺的蚀刻方式与所述第一蚀刻工艺不同；晶片运送工具，配置在形成在所述第一及第二蚀刻单元之间的晶片运送通道，并且使所述晶片在所述第一及第二蚀刻单元之间经过所述晶片运送通道来运送晶片。在所述第一及第二蚀刻单元中的一个单元中可对所述晶片执行清洗工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 混合 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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