[发明专利]一种薄型晶圆前端处理设备在审
申请号: | 201910790218.4 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110634772A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 王逸民 | 申请(专利权)人: | 泉州洛江同满机械设计有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄型晶圆前端处理设备,其结构包括机架、控制箱、工作台、移动柱、研磨装置、晶圆吸附台、旋转柱,机架的正面上设有控制箱,顶部上垂直焊接有工作台,工作台的中间安装有旋转柱,旋转柱的上方设有晶圆吸附台,晶圆吸附台的左右两侧都安装有研磨装置;有益效果:本发明在工作台上开有多个的吸附圆孔,可以对晶圆进行稳定的吸附,防止在研磨过程中出现振动;在工作台上安装有橡胶圈,可以对晶圆底面起到一个保护的作用,防止出现划痕现象;在工作台的两侧都安装有弧形研磨槽,弧形研磨槽内部的研磨片与晶圆的前端接触,对晶圆凸出的部分磨平且时其均匀,研磨产生的碎料粉末通过上吸附口与下吸附口进行收集。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 工作台 吸附台 旋转柱 研磨装置 研磨 控制箱 吸附口 前端处理设备 研磨槽内部 垂直焊接 划痕现象 前端接触 吸附圆孔 左右两侧 凸出的 橡胶圈 研磨槽 研磨片 移动柱 薄型 底面 磨平 碎料 吸附 | ||
【主权项】:
1.一种薄型晶圆前端处理设备,其特征在于:其结构包括机架(1)、控制箱(2)、工作台(3)、移动柱(4)、研磨装置(5)、晶圆吸附台(6)、旋转柱(7),所述机架(1)的正面上设有控制箱(2),顶部上垂直焊接有工作台(3),所述工作台(3)的中间安装有旋转柱(7),所述旋转柱(7)的上方设有晶圆吸附台(6),所述晶圆吸附台(6)的左右两侧都安装有研磨装置(5);/n所述工作台(3)的左右两侧都开有滑动槽(7),所述滑动槽(7)内部设有精密丝杆(8),所述研磨装置(5)通过移动柱(4)与精密丝杆(8)上的螺母螺纹连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造