[发明专利]一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910791592.6 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110504357B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李阳;王文晓;陈月辉;岳文静;高嵩 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/35 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及阻变存储器技术领域，尤其涉及一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用。所述多值阻变存储器包括：底电极、PMMA层、ZnO QDs层和顶电极；其中，所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间，且所述ZnO QDs为纳米级颗粒，其分布在PMMA层表面；所述PMMA层的主要作为电荷阻挡层；所述ZnO QDs层的主要作为电子俘获与脱陷中心层。相比于现有的RRAM，本发明的制备方法简单，展现出的低操作电压与无需电激活的特性有利于降低器件的功耗，而且通过调控施加在器件上的限制电流实现了多值存储，制备的器件在高密度低功耗存储中展现出了巨大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化锌 量子 多值阻变 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器，其特征在于，包括：底电极、PMMA层、ZnOQDs层和顶电极；其中，所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间，且所述ZnO QDs为纳米级颗粒，其分布在PMMA层表面。/n
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