[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910791662.8 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111029328A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 金钟斗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;周永佳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：设置在半导体芯片的有源区域中的第一正常图案，有源区域包括操作半导体芯片的电路；以及设置在半导体芯片的虚设区域中的第一缺陷图案和第二正常图案，虚设区域是不执行操作半导体芯片的功能的区域。第二正常图案与第一正常图案形状相同，并且除了第一缺陷之外，第一缺陷图案与第一正常图案形状相同。第一正常图案设置于半导体芯片的第一水平层。第一缺陷图案包括第一部分和第二部分，并且第二正常图案包括在形状和尺寸上与第一部分相匹配的第三部分以及第四部分，第二部分包括第一缺陷，并且除了第一缺陷之外在形状和尺寸上与第四部分相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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