[发明专利]一种无应变AlInGaN深紫外LED外延结构

摘要

本发明属于深紫外LED半导体及其制造的技术领域，提供了一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构。其结构为依次排布的非极性面AlN自支撑衬底、N型掺杂的AlaGa(1‑a)N层、晶格匹配的AlxGa(1‑x)N/AlyInzGa(1‑y‑z)N多量子阱有源区发光层、与有源区最后一个垒层匹配的P型AlbIncGa(1‑b‑c)N电子阻挡层以及P型AlaGa(1‑a)N层，本发明能够从根本上除去深紫外LED结构中强极化，消除所有对有源区能带结构的弯曲影响，极大的提高有源区的内电子与空穴的复合，从而提高深紫外LED内量子量效率，改善发光。

主权项

1.一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构，其特征在于，其结构为依次排布的非极性面AlN自支撑衬底、N型掺杂的Al