[发明专利]一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201910792771.1 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110620167B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;曾妮;王幸福;李锴 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州专理知识产权代理事务所(普通合伙) 44493 | 代理人： | 谭昉 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体及其制造的技术领域，提供一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法。深紫外LED为其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包括重掺杂的n‑GaN层。在电化学剥离前，先将蓝宝石衬底减薄，之后采用激光对蓝宝石衬底背面进行切割，切割轨迹呈网格状，露出重掺杂n‑GaN牺牲层，使得腐蚀溶液能够均匀腐蚀牺牲层，且电解过程中伴生的气泡能通过网格格点均匀排出，实现完整的大面积衬底剥离，获得高质量且界面光滑的外延层薄膜，进而制备大功率、发光效率高的深紫外LED，此法简单易行、效果显著、价格低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 大面积 衬底 剥离 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED，其特征在于，其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包括重掺杂的n-GaN层。/n
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