[发明专利]聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910793071.4 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110511410B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 李义涛;程宗盛;张凌飞;吴慧娟;肖文武;黄连红;满金芝;张魁 申请(专利权)人: 东莞东阳光科研发有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L27/16;C08L51/04;C08L55/02;H01G4/18;H01G4/33;B01D57/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523871 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明一种低介电损耗聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法。所述制备方法包括:先制备PVDF胶体溶液,然后进行电泳处理,得到铸膜液,涂布,干燥,将PVDF薄膜剥离,得到PVDF介电薄膜。本发明通过对PVDF胶体溶液进行电泳处理,除去包裹在PVDF树脂中的金属离子等杂质,从而获得低介电损耗的PVDF介电薄膜,所述PVDF介电薄膜特别适合作为薄膜电容器的电介质使用。
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:/n(1)PVDF胶体溶液的制备:将PVDF树脂和橡胶颗粒加入到有机溶剂中,加热搅拌溶解,再经过脱泡和过滤,得到PVDF胶体溶液;/n(2)铸膜液的制备:将PVDF胶体溶液注入电泳槽中,电泳处理后,抽取电泳槽中间部分的溶液,得到铸膜液;/n(3)介电薄膜的制备:将铸膜液涂布在基材上,干燥,将PVDF薄膜剥离,得到PVDF介电薄膜。/n
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