[发明专利]Si基Mosfet器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910793348.3 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110444472B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李可;张志诚;沈震 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种Si基Mosfet器件及其制备方法，包括以下步骤：在Si基上形成高K介质层；向高K介质层中注入F离子；在高K介质层注入F离子后，形成栅极、源极和漏极。本申请实施例还公开了一种Si基Mosfet器件，包括：Si基；形成在Si基上的高K介质层，其中，高K介质层具有F离子。本申请通过向形成在Si基上的高K介质层注入F离子，使高K介质层具有F离子，以增加高K介质层的内部固定电荷密度，从而对半导体导电沟道产生吸引/排斥作用，改变了MOS处能带结构，进而实现对沟道开启电压的调节，由此改变器件阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | si mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si基Mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在Si基上形成高K介质层；向所述高K介质层中注入F离子；在所述高K介质层注入所述F离子后，形成栅极、源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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