[发明专利]一种防止厚膜集成电路导电带断裂的方法在审
| 申请号： | 201910793467.9 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110610932A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 尤广为;符宏大;王星鑫 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种防止厚膜集成电路导电带断裂的方法，在绝缘层版图设计时，使元器件焊锡区导带与绝缘层之间的间隙≥250微米；通过增加元器件焊锡区导带与绝缘层之间的间隙，元器件锡焊时，能够因导电带焊接浸润性而使焊锡层沿着连接的导电带溢到绝缘层边缘，避免连接处的导电带在可靠性试验时出现断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 导电带 绝缘层 元器件 焊锡区 导带 厚膜集成电路 绝缘层边缘 可靠性试验 版图设计 断裂的 焊锡层 浸润性 锡焊 焊接 断裂 | ||
【主权项】：
1.一种防止厚膜集成电路导电带断裂的方法，其特征在于，在绝缘层版图设计时，使元器件焊锡区导带与绝缘层之间的间隙≥250微米。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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