[发明专利]一种抗干扰耐过载MEMS加速度计有效

专利信息
申请号: 201910793469.8 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110568220B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 王鹏;陈慧斌;何凯旋;黄斌;王帆 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 陈俊
地址: 233030 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计,包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽,感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极,可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构;感应电极底部设有硅支撑柱,硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连;第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构,第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔;本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响,提高器件的可靠性。
搜索关键词: 一种 抗干扰 过载 mems 加速度计
【主权项】:
1.一种抗干扰耐过载MEMS加速度计,包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽,感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极,可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构,其特征在于,所述感应电极底部设有硅支撑柱,硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连,感应电极中心锚点底部也与衬底层相连。/n
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