[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910795188.6 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111324002A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姜明昊;李载明 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了如下所述的一种制造半导体器件的方法。生成掩模布局，该掩模布局用于形成包括矩形凹口的多高度单元的目标图案。从掩模布局中检测与矩形凹口相对应的初步矩形掩模图案。多高度单元由在一个方向上布置并彼此连接的标准单元形成，并且矩形凹口设置在两个相邻的标准单元之间。响应于检测到初步矩形掩模图案，将六边形掩模图案放置在初步矩形掩模图案的至少一个短边上，以生成组合掩模图案。组合掩模图案的外边界保留在掩模布局中并且对应于目标图案的矩形凹口。基于组合掩模图案，形成目标掩模和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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